IGO60R042D1前往购买
IGO60R042D1规格参数_产品特性_原厂出售
IC先生 网络 62 2023-12-07 17:25:24
IGO60R042D1 CoolGaN™600 V增强模式功率晶体管提供快速的通断速度,最小的开关损耗,并实现简单的半桥拓扑,具有最高的效率该系列GaN HEMT采用最佳功耗SMD封装,适用于需要带或不带散热片的紧凑器件的应用氮化镓CoolGaN™600 V系列符合全面的氮化镓定制资格,远远超出现有标准dso - 20 - 85封装是专为需要底部冷却封装的大功率smp设计的带铅封装它解决了数据通信和服务器smp,电信和可再生能源以及许多其他需要最高效率或功率密度的应用。
IGO60R042D1的特性
IGO60R042D1优势
IGO60R042D1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| IDpuls(@25°C) | 90 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 路上 | 8.8 nC |
| RDS(上) | 42 mΩ |
| VDS公司 | 600 V |
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