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IPL65R200CFD7中文规格_功能图_原厂出售
IC先生 网络 57 2023-12-07 13:53:47
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R200CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。 作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器件的栅极电荷更低，关断性能更优异且反向恢复电荷更少，因此可显著提高效率与功率密度，额外提升 50V 的击穿电压。
Infineon’s 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET IPL65R200CFD7 in a ThinPAK 8x8 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50V breakdown voltage.
IPL65R200CFD7的特性
IPL65R200CFD7优势
IPL65R200CFD7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 14 A |
| ID | 14 A |
| IDpuls | 44 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 81 W |
| 包 | ThinPAK 8x8 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 23 nC |
| 路上 | 23 nC |
| RDS (on) (@10V) | 200 mΩ |
| RDS(上) | 200 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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