IPW60R060C7中文规格_产品特征_现货出售
IC先生 网络 48 2023-12-07 09:37:30
600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗(E oss),在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外,IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选!
CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本(TCO)应用,如超数据中心和高效率电信整流器(>96%)。在 PFC 拓扑结构中,可获得 0.3% - 0.7% 的增益,在LLC拓扑结构中,可获得 0.1% 的增益。例如,如果是 2.5kW 的服务器 PSU,在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。
IPW60R060C7的特性
- 开关损耗参数减少,如 Q G、C oss、E oss
- 最佳品质因数 Q G*R DS(on)
- 开关频率增加
- 世界上最佳的 R (on)*A
- 坚固体二极管
IPW60R060C7优势
- 可在不损失效率的情况下增加开关频率
- 为轻负载和满载效率测量显示关键参数
- 开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半
- 对于相同的 R DS(on),包装更小
- 可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置
IPW60R060C7规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
预算价格€/ 1000 | 4.11 |
ID(@25°C) | 35 A |
ID | 35 A |
IDpuls | 135 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -55 °C 150 °C |
Ptot | 162 W |
包 | TO-247 |
销数 | 3 Pins |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 68 nC |
路上 | 68 nC |
RDS (on) (@10V) | 60 mΩ |
RDS(上) | 60 mΩ |
仅仅 | 0.77 K/W |
RthJA | 62 K/W |
RthJC | 0.77 K/W |
特殊功能 | highest performance |
VDS公司 | 600 V |
vg (th) | 3.5 V 3 V 4 V |
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