ISP16DP10LM前往购买
ISP16DP10LM规格参数_产品特征_现货出售
IC先生 网络 67 2023-12-07 11:49:57
SOT-223 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持逻辑电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。
ISP16DP10LM的特性
- 非常适合高和低开关频率
- 雪崩能力强
- 行业标准尺寸的表面贴装封装
- 分销商可大量供货
ISP16DP10LM优势
- 应用广泛
- 稳健可靠
- 采用标准引脚，可作为直接替代品
- 电源安全性强
ISP16DP10LM规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.42 |
| ID | -3.9 A |
| ID(@25°C) | -3.9 A |
| IDpuls | -15.6 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 5 W |
| 包 | SOT-223 |
| 销数 | 4 Pins |
| 极性 | P |
| 路上 | -42 nC |
| QG(类型@10V) | -42 nC |
| QG (type @4.5V) | -21 nC |
| RDS(上) | 160 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) | 190 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 160 mΩ |
| VDS公司 | -100 V |
| vg (th) | -1 V -2 V ; -1.5 V |
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