IQDH88N06LM5CG规格参数_产品特征_现货专卖
IC先生 网络 59 2023-12-07 08:16:08
功率MOSFET IQDH88N06LM5CG 60 V采用PQFN 5 x6 mm2Source-Downpackage该部件提供业界最低的RDS(上)088Ω,并具有出色的热性能,易于功率损耗管理这为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度,如d类音频,大功率充电器,smp,电信和高性能计算中的中间总线转换,如超大规模数据中心和人工智能服务器场。
IQDH88N06LM5CG的特性
IQDH88N06LM5CG优势
IQDH88N06LM5CG规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
ID(@25°C) | 447 A |
IDpuls | 1788 A |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
包 | PQFN 5x6 Source-Down |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 152 nC |
QG (type @4.5V) | 76 nC |
RDS (on) (@4.5V) | 1.24 mΩ |
RDS (on) (@10V) | 0.86 mΩ |
VDS公司 | 60 V |
vg (th) | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
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芯片
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