IPAN60R210PFD7S产品参数_产品特性_原装供应
IC先生 网络 48 2023-12-07 12:06:02
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R210PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7 系列产品,可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R210PFD7S 具有 210mOhm 的 RDS(on) ,降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。
该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS™与 P7 和 CE MOSFET 技术相比, 600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率提高,功率密度提高了 1.8W / inch3。
IPAN60R210PFD7S的特性
- FOM RDS(on) x Eoss 非常低
- 集成坚固耐用的快速体二极管
- 高达 2kV 的静电放电保护
- 广泛的 RDS(on) 数值
- 出色的换向强度
- 低 EMI
- 广泛的产品封装组合
IPAN60R210PFD7S优势
- 开关损耗非常小
- 与新型 CoolMOS™ 充电器技术相比,提高了功率密度
- 与 CoolMOS™ CE 技术相比,在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
- 降低了物料清单成本,易于生产
- 坚固耐用
- 可轻松选择合适的部件进行设计微调
IPAN60R210PFD7S规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
ID | 16 A |
ID(@25°C) | 16 A |
IDpuls | 42 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -40 °C 150 °C |
Ptot | 25 W |
包 | TO-220 FullPAK Narrow Lead |
销数 | 3 Pins |
极性 | N |
路上 | 23 nC |
RDS(上) | 210 mΩ |
RDS (on) (@10V) | 210 mΩ |
特殊功能 | price/performance |
VDS公司 | 600 V |
vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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