IMT65R022M1H前往购买
IMT65R022M1H规格参数_产品特征_原装原厂
IC先生 网络 53 2023-12-07 11:02:37
CoolSIC™MOSFET650 V, 22米Ω人数封装利用英飞凌SiC技术的优势,实现更高密度的设计和更高的开关频率操作人数的小尺寸和低寄生允许高效和有效地利用电路板空间,以及在更高频率下驱动MOSFET,达到更高的功率密度CoolSIC™MOSFET 650 V, 22米Ω在人数封装产品中,还可以为coolmos™和coolgan™提供,使其成为各种系统的有吸引力的一站式选择与D²PAK相比,热阻抗降低,加上创新的XT互连,使22米Ω产品适用于高功率设计它非常适合高功率系统中新兴的图腾柱PFC拓扑,以及高功率直流-直流或交直流级,具有苛刻的功率密度目标。
IMT65R022M1H的特性
IMT65R022M1H优势
IMT65R022M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 79 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 22 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
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