BSC096N10LS5前往购买
BSC096N10LS5规格参数_功能特性_原厂出售
IC先生 网络 21 2023-12-08 14:35:36
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC096N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。它可用于 充电器、 适配器 和 电信等应用
BSC096N10LS5的特性
- 采用小型封装，具有低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 较低的输出电荷
- 逻辑电平兼容
BSC096N10LS5优势
- 提高功率密度设计
- 提高开关频率
- 减少器件数量，5V 电压即可驱动
- 可直接由微控制器驱动（慢速开关）
- 减少系统成本
BSC096N10LS5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.73 |
| Id (@ tc =25℃) | 40 A |
| ID(@25°C) | 40 A |
| IDpuls | 160 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 83 W |
| 包 | SuperSO8 5x6 |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 12 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 12.5 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 9.6 mΩ |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
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