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IRL540N规格参数_功能特性_原装供应

IC先生 网络 35 2023-12-08 16:07:17

红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。


IRL540N


IRL540N的特性

  • 面向广泛SOA的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品质量符合JEDEC标准
  • 硅优化的应用切换低于100kHz
  • 行业标准通孔电源封装
  • 大电流评级

  • IRL540N优势

  • 增加了强度
  • 广泛的分销合作伙伴可用性
  • 行业标准资质
  • 在低频应用中具有高性能
  • 标准引脚允许插入更换
  • 大电流能力

  • IRL540N规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.46
    ID(@25°C) 36 A
    越来越多的THT
    工作温度 -55 °C   175 °C
    Ptot 140 W
    TO-220
    极性N
    QG (type @4.5V)49.3 nC
    Qgd25.3 nC
    RDS (on) (@4.5V) 63 mΩ
    RDS (on) (@10V) 44 mΩ
    RthJC 1.1 K/W
    Tj 175 °C
    VDS公司 100 V
    vg (th) 1.5 V   1 V   2 V
    vg 16 V
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