STGYA50M120DF3前往购买
STGYA50M120DF3规格参数_引脚图_原装销售
IC先生 网络 88 2023-12-15 08:14:18
概述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
STGYA50M120DF3符号图
STGYA50M120DF3功能参数
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 短路耐受时间为10 μs
- 低 VCE(sat)（1.7 V典型值）@ IC = 50 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
STGYA50M120DF3引脚图
STGYA50M120DF3 3D图
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芯片
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