STGW15M120DF3前往购买
STGW15M120DF3中文参数_引脚图_原装现货
IC先生 网络 81 2023-12-15 15:50:17
概述
此器件使用先进的专有沟槽栅场截止结构技术，作为M系列IGBT的一部分，它代表了为了使逆变系统效率最大化同时又兼顾 了低损耗和短路能力的最佳折中。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
STGW15M120DF3符号图
STGW15M120DF3功能参数
- 10μs的短路耐受时间
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 软恢复反并联二极管
STGW15M120DF3引脚图
STGW15M120DF3 3D图
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芯片
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