STGYA75H120DF2前往购买
STGYA75H120DF2中文参数_产品特征_原装销售
IC先生 网络 105 2023-12-15 10:45:48
概述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是“H”系列IGBT中的成员，代表了导通损耗与开关损耗之间的最佳折衷，实现了高开关频率转换器的效率最大化。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。
STGYA75H120DF2符号图
STGYA75H120DF2功能参数
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 短路耐受时间为5 μs
- VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 恢复速度极快的反向并联晶体管
STGYA75H120DF2引脚图
STGYA75H120DF2 3D图
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芯片
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