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STN1NF20中文参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 44 2023-12-15 08:10:29
概述
该功率MOSFET采用意法半导体独特的STripFET™工艺开发，该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。
STN1NF20符号图
STN1NF20功能参数
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 出色的dv/dt能力
STN1NF20引脚图
STN1NF20 3D图
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文章标签:
芯片
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