STL100N10F7前往购买
STL100N10F7中文参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 80 2023-12-15 14:44:02
概述
该器件是采用第七代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。
STL100N10F7符号图
STL100N10F7功能参数
- 超低导通电阻
- 经过100％雪崩测试
STL100N10F7引脚图
STL100N10F7 3D图
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芯片
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