STB120N4F6前往购买
STB120N4F6中文规格_引脚特性_现货专卖
IC先生 网络 103 2023-12-15 09:38:58
概述
这些器件是n沟道功率mosfet，使用6
th
新一代STripFET™DeepGATE™技术，具有全新的栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STB120N4F6符号图
STB120N4F6功能参数
- 专为汽车应用和AEC-Q101合格
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STB120N4F6引脚图
STB120N4F6 3D图
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芯片
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