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STL8DN6LF6AG中文参数_功能特性_原装供应

IC先生 网络 96 2023-12-15 12:00:16

概述

该器件是一种双n沟道功率MOSFET,采用新型沟槽栅极结构,采用strifet F6技术开发。

DS(上)

在所有的包装。

STL8DN6LF6AG符号图

STL8DN6LF6AG

STL8DN6LF6AG功能参数

  • AEC-Q101合格
  • 极低导通电阻
  • 极低栅极电荷
  • 高雪崩坚固性
  • 栅极驱动功率损耗低
  • 可湿式侧翼包

STL8DN6LF6AG引脚图

STL8DN6LF6AG

STL8DN6LF6AG 3D图

STL8DN6LF6AG

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STL8DN6LF6AG中文参数_功能特性_原装供应


网址: https://www.mrchip.cn/newsDetail/26429
文章标签: 芯片
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