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STP270N8F7中文参数_符号图_现货专卖

IC先生 网络 109 2023-12-15 13:10:37

概述

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

STP270N8F7符号图

STP270N8F7

STP270N8F7功能参数

  • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
  • 出色的品质因数(FoM)
  • 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
  • 坚固的抗雪崩能力

STP270N8F7引脚图

STP270N8F7

STP270N8F7 3D图

STP270N8F7

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文章标签: 芯片
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