STL12N10F7功能参数_产品特征_原装现货
IC先生 网络 105 2023-12-15 16:32:26
概述
这款n沟道功率MOSFET采用strifet™F7技术,具有增强型沟槽栅极结构,可实现极低的导通状态电阻,同时还可降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。
STL12N10F7符号图
STL12N10F7功能参数
- 在最低的RDS(on)在市场上
- 优秀的FoM(优异值)
- 低交叉/交叉比抗电磁干扰
- 高雪崩坚固性
STL12N10F7引脚图
STL12N10F7 3D图
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芯片
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