STLD125N4F6AG前往购买
STLD125N4F6AG产品规格_功能图_原厂出售
IC先生 网络 56 2023-12-15 14:53:20
概述
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。
STLD125N4F6AG符号图
STLD125N4F6AG功能参数
- 通过AEC-Q101认证
- 超低导通电阻
- 超低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 低栅驱动功率损耗
- 侧面可焊性封装
STLD125N4F6AG引脚图
STLD125N4F6AG 3D图
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芯片
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