STH310N10F7-2前往购买
STH310N10F7-2中文参数_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 110 2023-12-15 11:01:58
概述
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STH310N10F7-2符号图
STH310N10F7-2功能参数
- 处于市面上最低的 RDS(on)行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
STH310N10F7-2引脚图
STH310N10F7-2 3D图
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