STP110N10F7前往购买
STP110N10F7中文参数_产品特点_原装原厂
IC先生 网络 124 2023-12-15 09:00:40
概述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
STP110N10F7符号图
STP110N10F7功能参数
- 超低导通电阻
- 经过100％雪崩测试
STP110N10F7引脚图
STP110N10F7 3D图
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芯片
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