STD110N8F6前往购买
STD110N8F6规格参数_产品特性_现货出售
IC先生 网络 122 2023-12-15 11:45:34
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的n沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STD110N8F6符号图
STD110N8F6功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STD110N8F6引脚图
STD110N8F6 3D图
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文章标签:
芯片
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