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STL7N10F7产品参数_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 120 2023-12-15 10:51:59
概述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
STL7N10F7符号图
STL7N10F7功能参数
- N-沟道增强模式
- 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
- 100 ％额定雪崩
STL7N10F7引脚图
STL7N10F7 3D图
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芯片
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