STB45NF06前往购买
STB45NF06中文参数_功能特性_原装供应
IC先生 网络 40 2023-12-15 09:52:08
概述
该功率MOSFET采用意法半导体独特的strifet工艺开发，该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。
STB45NF06符号图
STB45NF06功能参数
- 典型RDS(on)= 0.022 Ω
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 标准阈值驱动
STB45NF06引脚图
STB45NF06 3D图
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文章标签:
芯片
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