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STL117N4LF7AG功能参数_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 99 2023-12-16 17:20:25
概述
这款n沟道功率MOSFET采用strifet™F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通状态电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL117N4LF7AG符号图
STL117N4LF7AG功能参数
- AEC-Q101合格
- 在最低的RDS(on)在市场上
- 优秀的FoM(优异值)
- 低交叉/交叉比抗电磁干扰
- 高雪崩坚固性
- 可湿式侧翼包
STL117N4LF7AG引脚图
STL117N4LF7AG 3D图
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