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STD30N6LF6AG产品规格_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 105 2023-12-16 08:38:48
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的n沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STD30N6LF6AG符号图
STD30N6LF6AG功能参数
- 专为汽车应用和AEC-Q101合格
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STD30N6LF6AG引脚图
STD30N6LF6AG 3D图
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芯片
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