STW9N150前往购买
STW9N150功能参数_引脚特性_原装原厂
IC先生 网络 47 2023-12-16 11:17:32
概述
采用整合良好的高压MESH OVERLAY™工艺，意法半导体设计了一系列性能优异的功率mosfet。
DS(上)
每面积，无与伦比的栅极电荷和开关特性。
STW9N150符号图
STW9N150功能参数
- 极低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 雪崩强度
- 高速交换
- 非常低的固有电容
STW9N150引脚图
STW9N150 3D图
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芯片
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