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STP10N95K5产品规格_引脚特性_现货出售

IC先生 网络 63 2023-12-16 12:38:44

概述

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

STP10N95K5符号图

STP10N95K5

STP10N95K5功能参数

  • 全球出色的品质因数(FoM)
  • 极低的栅极电荷
  • 经过100%雪崩测试
  • 稳压保护

STP10N95K5引脚图

STP10N95K5

STP10N95K5 3D图

STP10N95K5

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文章标签: 芯片
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