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STF10N105K5产品参数_引脚图_现货出售

IC先生 网络 128 2023-12-16 16:12:36

概述

这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

STF10N105K5符号图

STF10N105K5

STF10N105K5功能参数

  • 业界领先的低RDS(on)
  • 业界出色的品质因数(FoM)
  • 极低的栅极电荷
  • 经过100%雪崩测试
  • 稳压保护

STF10N105K5引脚图

STF10N105K5

STF10N105K5 3D图

STF10N105K5

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文章标签: 芯片
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