SCTW40N120G2VAG前往购买
SCTW40N120G2VAG中文参数_功能特性_原装现货
IC先生 网络 161 2023-12-18 15:46:18
概述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的2开发的
nd
第一代SiC MOSFET技术。
SCTW40N120G2VAG符号图
SCTW40N120G2VAG功能参数
- AEC-Q101合格
- 非常高的工作结温能力(TJ = 200°C)
- 非常快速和稳健的本体二极管
- 极低栅极电荷和输入电容
SCTW40N120G2VAG引脚图
SCTW40N120G2VAG 3D图
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芯片
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