SCTH40N120G2V-7前往购买
SCTH40N120G2V-7产品规格_引脚图_原装原厂
IC先生 网络 100 2023-12-18 10:51:12
概述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的2开发的
nd
第一代SiC MOSFET技术。
SCTH40N120G2V-7符号图
SCTH40N120G2V-7功能参数
- 非常高的工作结温能力(TJ = 175°C)
- 非常快速和稳健的本体二极管
- 极低栅极电荷和输入电容
- 源开尔文pin提高效率
SCTH40N120G2V-7引脚图
SCTH40N120G2V-7 3D图
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芯片
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