SCT018H65G3AG前往购买
SCT018H65G3AG功能参数_引脚特性_原装供应
IC先生 网络 47 2023-12-18 13:51:54
概述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的3开发的
理查德·道金斯
第一代SiC MOSFET技术。
DS(上)
在整个温度范围内，结合低电容和非常高的开关操作，从而提高了频率，能源效率，系统尺寸和重量减轻的应用性能。
SCT018H65G3AG符号图
SCT018H65G3AG功能参数
- AEC-Q101合格
- 在整个温度范围内非常低的RDS(on)
- 高速交换性能
- 非常快速和稳健的本体二极管
- 源感应引脚，提高效率
SCT018H65G3AG引脚图
SCT018H65G3AG 3D图
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芯片
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