STRH100N10产品参数_引脚图_原装原厂
IC先生 网络 49 2023-12-18 11:25:40
概述
STRH100N10是采用密封TO-254AA封装的Rad-hard stripet技术开发的n沟道功率MOSFET。
专门设计用于维持总电离剂量和对重离子效应的免疫,符合ESCC 5205/021详细规范。
STRH100N10符号图
STRH100N10功能参数
- 快速切换
- 100%雪崩测试
- 密封包装
- 50克拉
- SEE辐射硬化
STRH100N10引脚图
STRH100N10 3D图
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芯片
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