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STRH100N10产品参数_引脚图_原装原厂

IC先生 网络 49 2023-12-18 11:25:40

概述

STRH100N10是采用密封TO-254AA封装的Rad-hard stripet技术开发的n沟道功率MOSFET。

专门设计用于维持总电离剂量和对重离子效应的免疫,符合ESCC 5205/021详细规范。

STRH100N10符号图

STRH100N10

STRH100N10功能参数

  • 快速切换
  • 100%雪崩测试
  • 密封包装
  • 50克拉
  • SEE辐射硬化

STRH100N10引脚图

STRH100N10

STRH100N10 3D图

STRH100N10

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文章标签: 芯片
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