半场晶体管(MOSFET)
IPB117N20NFD
品种：
晶体管
种类：半场晶体管(MOSFET)
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| R th | 0.5 |
| C oss | 400.0 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| 销数 | 3.0 |
| 特殊特征 | Fast Diode |
| V DS最大值 | 200.0V |
| (@25°C)最大 | 84.0A |
| Q G (typ @10V) | 65.0 |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 0.5K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| I Dpuls最大值 | 336.0A |
| P合计马克斯 | 300.0W |
| C工业标准规格 | 5000.0 |
| 预算价格€/ 1 k | 2.75 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 11.7mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.0V3.0 |
IPB117N20NFD数据手册
