名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 25.0 |
Q gd | 8.0 |
R th | 1.74 |
C oss | 19.0 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
销数 | 3.0 |
特殊特征 | price/performance |
V DS最大值 | 600.0V |
(@25°C)最大 | 18.0A |
I D 最大值 | 18.0A |
Q G (typ @10V) | 25.0 |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 1.74K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 53.0A |
P合计马克斯 | 72.0W |
R DS(开)最大值 | 180.0mΩ |
C工业标准规格 | 1081.0 |
预算价格€/ 1 k | 0.98 |
R DS (on)(@10V)最大 | 180.0mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 3.0V |
IPB60R180P7数据手册