名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
V DS | 100 V |
厚度 | 220 |
技术 | OptiMOS™ 3 |
模式 | Enhancement |
R DS(上) | 42.0 |
输出驱动 | 1 |
模具尺寸(X) | 2.12 mm |
模具尺寸(Y) | 0.96 mm |
EAS/击穿能量 | 18.0 |
V断续器最大值 | 100.0V |
模具尺寸(面积) | 2.04 mm² |
V GS(th)最大值最小值 | 1.1V |
模具尺寸(-)最大最小 | 0.96mm² |
IPC020N10L3数据手册
名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
V DS | 100 V |
厚度 | 220 |
技术 | OptiMOS™ 3 |
模式 | Enhancement |
R DS(上) | 42.0 |
输出驱动 | 1 |
模具尺寸(X) | 2.12 mm |
模具尺寸(Y) | 0.96 mm |
EAS/击穿能量 | 18.0 |
V断续器最大值 | 100.0V |
模具尺寸(面积) | 2.04 mm² |
V GS(th)最大值最小值 | 1.1V |
模具尺寸(-)最大最小 | 0.96mm² |