| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| V DS | 100 V |
| 厚度 | 220 |
| 技术 | OptiMOS™ 3 |
| 模式 | Enhancement |
| R DS(上) | 15.2 |
| 输出驱动 | 1 |
| 模具尺寸(X) | 2.5 mm |
| 模具尺寸(Y) | 1.8 mm |
| EAS/击穿能量 | 45.0 |
| V断续器最大值 | 100.0V |
| 模具尺寸(面积) | 4.5 mm² |
| R DS (on)(@10V)最大 | 100.0mΩ |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.0V |
| 模具尺寸(-)最大最小 | 1.8mm² |
IPC045N10N3数据手册
