| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| V DS | 30 V |
| 厚度 | 175 |
| 技术 | OptiMOS™ 3 |
| 模式 | Enhancement |
| R DS(上) | 5.3 |
| 输出驱动 | 1 |
| 模具尺寸(X) | 1.05 mm |
| 模具尺寸(Y) | 2.1 mm |
| EAS/击穿能量 | 50.0 |
| V断续器最大值 | 30.0V |
| 模具尺寸(面积) | 2.2 mm² |
| R DS (on)(@10V)最大 | 50.0mΩ |
| V GS(th)最大值最小值 | 1.0V |
| 模具尺寸(-)最大最小 | 1.05mm² |
IPC022N03L3数据手册
