| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| V DS | 200 V |
| 厚度 | 250 |
| 技术 | OptiMOS™ 3 |
| 模式 | Enhancement |
| R DS(上) | 9.2 |
| 输出驱动 | 1 |
| 模具尺寸(X) | 6.7 mm |
| 模具尺寸(Y) | 4.5 mm |
| EAS/击穿能量 | 47.0 |
| V断续器最大值 | 200.0V |
| 模具尺寸(面积) | 30.15 mm² |
| R DS (on)(@10V)最大 | 100.0mΩ |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.0V |
IPC302N20N3数据手册
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