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IPC331N15NM5R
半场晶体管(MOSFET)
IPC331N15NM5R
品种:
晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称
参数
产品分类
半场晶体管(MOSFET)
V DS
150 V
厚度
246
技术
OptiMOS™ 5
模式
Enhancement
R DS(上)
2.9
模具尺寸(X)
7.05 mm
模具尺寸(Y)
4.7 mm
EAS/击穿能量
70.0
模具尺寸(面积)
33.13 mm²
V GS(th)最大值最小值
3.0V
IPC331N15NM5R产品参数_产品特点_原厂出售
英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 RDS(on)(与采用 SuperSO8 的竞品相比高达 25%)和 Qrr,在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量
2023-12-07 11:01:00
62次
IPC331N15NM5R数据手册
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