半场晶体管(MOSFET)
IPD053N06N
品种：
晶体管
种类：半场晶体管(MOSFET)
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| R th | 1.8 |
| C oss | 490.0 |
| 包装 | DPAK (TO-252) |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 60.0V |
| (@25°C)最大 | 45.0A |
| Q G (typ @10V) | 27.0 |
| I Dpuls最大值 | 180.0A |
| P合计马克斯 | 83.0W |
| C工业标准规格 | 2000.0 |
| 预算价格€/ 1 k | 0.5 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 5.3mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.1V2.8 |
IPD053N06N数据手册
