首页 > 高可靠器件> STRH100N6HY1
名称 参数
产品分类 航空航天可靠器件
VDSS 60
封装 TO-254AA
RDS(on) 0.0135
一般描述 抗辐照N沟道60V、40A MOSFET
市场状况 Active
Radiation Level 50 krad (Si) - SEE Hardened
Temperature range -55 to 150 C
Drain Current (Dc) 40
Agency Generic Spec 5205/022
Transistor Polarity N-Channel
Agency Qualification ESCC
STRH100N6HY1数据手册
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