首页 > 高可靠器件> STRH40P10HY1
名称 参数
产品分类 航空航天可靠器件
VDSS -100
封装 TO-254AA
RDS(on) 0.075
一般描述 抗辐照P沟道100 V - 40A MOSFET
市场状况 Active
Radiation Level 100 krad (Si) - SEE Hardened
Temperature range -55 to 150 C
Drain Current (Dc) -34
Agency Generic Spec 5205/025
Transistor Polarity P-Channel
Agency Qualification ESCC
STRH40P10HY1数据手册
0 购物车
0 消息