| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 航空航天可靠器件 |
| VDSS | -100 |
| 封装 | TO-257 |
| RDS(on) | 0.3 |
| 一般描述 | 抗辐照P沟道100 V、12 A功率MOSFET |
| 市场状况 | Active |
| Radiation Level | 100 krad(Si) - SEE characterized |
| Temperature range | -55 to 150 C |
| Drain Current (Dc) | -12 |
| Agency Generic Spec | 5205/029 |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Agency Qualification | ESCC |
STRH12P10GYG数据手册
