首页 > 高可靠器件> STRH8N10S1
名称 参数
产品分类 航空航天可靠器件
VDSS 100
封装 SMD.5
RDS(on) 0.3
一般描述 抗辐照N沟道100V - 6A MOSFET
市场状况 Active
Radiation Level 50 krad (Si) - SEE hardened
Temperature range -55 to 150 C
Drain Current (Dc) 6
Agency Generic Spec 5205/023
Transistor Polarity N-Channel
Agency Qualification ESCC
STRH8N10S1数据手册
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