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IPD95R450PFD7规格参数_产品特性_现货专卖

IC先生 网络 57 2023-12-07 11:02:11

950 V CoolMOS™PFD7超结MOSFET (IPD95R450PFD7)是对CoolMOS™7产品的补充,适用于高功率照明和工业smps7应用IPD95R450PFD7采用-252 DPAK封装,导通状态电阻(RDS)为450Ω,可实现低开关损耗该产品配备集成快速体二极管,确保器件坚固耐用该产品系列专为超高功率密度和最高效率设计而定制该产品主要用于PFC和LLC / LCC拓扑的消费和工业smp应用950 V CoolMOS™PFD7提供了60%的改进Qgover CoolMOS™C3,从而减少了驱动损耗,提高了应用中的轻负荷和满载效率。


IPD95R450PFD7


IPD95R450PFD7的特性

  • 同类最佳的RDS(on) SMD封装,可实现更高的功率密度和更小的外形尺寸
  • 集成快速体二极管,超低Qrr,可用于半桥和全桥配置
  • 一流的fdm RDS(on) x Eoss;
  • 同类最佳电压(GS)为3v,最小电压(GS)为±0.5 V
  • 通过降低oss和Qoss,提高了硬交换和软交换应用的效率
  • ESD保护(HBM 2级)

  • IPD95R450PFD7优势

  • 实现更高的功率密度设计,节省BOM并降低组装成本
  • 一流的硬交换坚固性,支持跨拓扑使用
  • 与CoolMOS™C3相比,效率增益高达0.5%,MOSFET温度降低高达4°C
  • 与最新的CoolMOS™C3和最接近的竞争对手相比,功率密度有所提高
  • 通过减少ESD相关故障,提高了产量

  • IPD95R450PFD7规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 13.3 A
    IDpuls 43 A
    越来越多的SMT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 104 W
    DPAK (TO-252)
    销数3 Pins
    极性N
    QG(类型@10V)43 nC
    路上43 nC
    RDS(上) 450 mΩ
    RDS (on) (@10V) 450 mΩ
    VDS公司 950 V
    vg (th) 3 V   2.5 V   3.5 V
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    IPD95R450PFD7规格参数_产品特性_现货专卖


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