IRFR024N产品参数_产品功能_原厂出售
IC先生 网络 96 2023-12-07 12:02:28
红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。
IRFR024N的特性
IRFR024N优势
IRFR024N规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
预算价格€/ 1000 | 0.22 |
ID(@25°C) | 17 A ; 17 A |
湿度敏感等级 | 1 |
越来越多的 | SMD |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
Ptot | 38 W |
包 | DPAK (TO-252) |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 13.3 nC ; 13.3 nC |
Qgd | 5.1 nC |
RDS (on) (@10V) | 75 mΩ ; 75 mΩ |
RthJC | 3.3 K/W |
Tj | 175 °C |
VDS公司 | 55 V |
vg (th) | 3 V 2 V 4 V ; 3 V 2 V 4 V |
vg | 20 V |
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芯片
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