BSZ011NE2LS5I前往购买
BSZ011NE2LS5I规格参数_功能图_原装供应
IC先生 网络 22 2023-12-07 09:52:03
随着BSZ011NELS5I OptiMOS™5功率MOSFET的推出,在高性能PQFN 33 x33mm封装中集成肖特基二极管的另一个器件将补充英飞凌的高性能产品组合在服务器和电信smp中的同步整流等应用程序中,通过显著降低RDS(上),可以进一步提高系统效率卓越的电气性能与小巧的PQFN 33 x33mm封装相结合,进一步增强了目标应用中同类最佳的功率密度和外形尺寸改进。
BSZ011NE2LS5I规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.93 |
| Id (@ tc =25℃) | 202 A |
| ID(@25°C) | 202 A |
| IDpuls | 808 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 69 W |
| 包 | PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 17 nC |
| QG(类型@10V) | 37 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 1.5 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 1.1 mΩ |
| 特殊功能 | Schottky ( includes Schottky like and FETky ) |
| VDS公司 | 25 V |
| vg (th) | 1.77 V 1.2 V 2 V |
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