IPA045N10N3 G前往购买
IPA045N10N3 G中文规格_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 19 2023-12-07 15:09:22
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
IPA045N10N3 G的特性
- 优异的开关性能
- 世界较低的 (R Ds(on))
- 极低的 Qg 和 Qgd
- 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
- 符合 RoHS 标准 - 无卤素
- MSL1 评级 2
IPA045N10N3 G优势
- 环保
- 提高效率
- 极高的功率密度
- 减少并联
- 极低的板空间消耗
- 产品易于设计
IPA045N10N3 G规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.12 |
| 独联体 | 6320 pF |
| 输出电容 | 1100 pF |
| ID(@25°C) | 64 A |
| IDpuls | 256 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 39 W |
| 包 | TO-220 FullPAK |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 88 nC |
| RDS (on) (@10V) | 4.5 mΩ |
| 仅仅 | 3.8 K/W |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 2.7 V 2 V 3.5 V |
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
