IQE022N06LM5CG前往购买
IQE022N06LM5CG规格参数_产品特征_原厂出售
IC先生 网络 20 2023-12-07 13:51:29
IQE022N06LM5CG是英飞凌全新的同类最佳的optimos™5功率MOSFET 60 V逻辑电平,采用PQFN 33 x33下源中心栅极(CG)封装,在25˚C时提供业界最低的导通状态电阻RDS(上),卓越的散热性能和优化的并行化optimos™来源——下来是一项革命性的技术,内置翻转硅芯片,具有更好的热性能,更高的功率密度和改进的布局可能性等优点结合新的PQFN 33 x33center-gate封装,IQE022N06LM5CG针对高功率密度和高性能的议员产品,通常用于智能命令和数据服务器。
IQE022N06LM5CG的特性
IQE022N06LM5CG优势
IQE022N06LM5CG规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 151 A |
| IDpuls | 604 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 100 W |
| 包 | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 53 nC |
| QG (type @4.5V) | 26 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 2.9 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 2.2 mΩ |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
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